AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers
Mercury cadmium telluride epitaxial layers exhibiting large areas with nearly atomically-flat surface were grown using liquid phase epitaxy (LPE) from Te-rich solution in closed system. Evolution of surface morphology during different steps of LPE growth was studied using scanning probe microscopy....
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120233 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers / G.V. Beketov, L.V. Rashkovetskiy, O.V. Rengevych, G.I. Zhovnir // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 45-51. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |