Formation and evolution of intermixing zones in C/Si multilayer under heating
Formation of intermixing zones, their structure and phase composition in C/Si multilayers in as-deposited state and after annealing are studied. During deposition intermixing zones of ∼ 0.6 m thick are formed at both silicon/carbon and carbon/silicon interfaces. The zone formed at C-on-Si interlayer...
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2014
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120462 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Formation and evolution of intermixing zones in C/Si multilayer under heating / I.A. Zhuravel, Ye.A. Bugayev, A.V. Penkov, E.N. Zubarev, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko // Functional Materials. — 2014. — Т. 21, № 3. — С. 318-323. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |