Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some recent experiments on these structures.
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120979 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |