Electronic structure of PbSnS₃ and PbGeS₃ semiconductor compounds with the mixed cation coordination
The self-consistent band structure calculation of PbSnS₃ and PbGeS₃ ternary compounds with the mixed cation coordination was performed using the ab initio density functional theory method. It has been found that both compounds are indirect-gap semiconductors. The calculated band-gap widths are Egi =...
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121155 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Electronic structure of PbSnS₃ and PbGeS₃ semiconductor compounds with the mixed cation coordination / M.M. Bletskan, D.I. Bletskan, V.M. Kabatsii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 12-19. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |