Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals

• Дата: 2000
• Автори: Prokopenko, I.V., Kislovskii, E.N., Olikhovskii, S.I., Tkach, V.M., Lytvyn, P.M., Vladimirova, T.P.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121174
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I.V. Prokopenko, E.N. Kislovskii, S.I. Olikhovskii, V.M. Tkach, P.M. Lytvyn, T.P. Vladimirova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 275-281. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

We used X-ray diffraction method of total rocking curves and nondestructive direct observation techniques (atomic force and scanning electron microscopies) to quantitatively determine the defect characteristics (radii and concentrations) for the main types of defects in Czochralski-grown silicon sin...