Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals

Effects of electropositive (Au, Ag, Cu) and electronegative (Al, In) metal impurities are investigated from the viewpoint of photoluminescent and electronic properties of nanocrystalline silicon films prepared by laser ablation when depositing them onto a silicon substrate. Measured are time-resolve...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Kaganovich, E.B., Kirillova, S.I., Manoilov, E.G., Primachenko, V.E., Svechnikov, S.V., Venger, E.F., Bazylyuk, I.R.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121181
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals / E.B. Kaganovich, S.I. Kirillova, E.G. Manoilov, V.E. Primachenko, S.V. Svechnikov, E.F. Venger, I.R. Bazylyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 125-132. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine