Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix

• Дата: 2015
• Автори: Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121225
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix / K.V. Michailovska, I.Z. Indutnyi, O.O. Kudryavtsev, M.V. Sopinskyy, P.E. Shepeliavyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 324-329. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Investigated in this paper have been polarization properties of photoluminescence in solid and porous nc-Si−SiOx light emitting structures passivated in HF vapor. These structures were produced by thermal vacuum evaporation of silicon monoxide SiO powder onto polished c-Si substrates. After annealin...