Результати пошуку - Shepeliavyi, P.E.
- Показ 1 - 20 результатів із 20
-
1
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers за авторством Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Indutnyi, V.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
-
4
-
5
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films за авторством Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
6
Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix за авторством Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
7
Plasmon-enhanced fluorometry based on gold nanostructure arrays. Method and device за авторством Chegel, V.I., Lytvyn, V.K., Lopatynskyi, A.M., Shepeliavyi, P.E., Lytvyn, O.S., Goltvyanskyi, Yu.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
8
The use of chalcogenide glassy semiconductors to create micro- and nanoscale structures за авторством Petrov, V. V., Kryuchуn, A. A., Rubish, V. M., Kostyukevуch, S. A., Shepeliavyi, P. E.
Опубліковано 2020Отримати повний текст
Стаття -
9
Using non-organic resist based on As-S-Se chalcogenide glasses for combined optical/digital security devices за авторством Kostyukevych, S.A., Moskalenko, N.L., Shepeliavyi, P.E., Girnyk, V.I., Tverdokhleb, I.V., Ivanovsky, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)Отримати повний текст
Стаття -
10
-
11
Photostimulated etching of germanium chalcogenide films за авторством Dan’ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukyanyuk, M.V., Litvin, O.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
12
High-speed optical recording in vitreous chalcogenide thin films за авторством Kryuchyn, A.A., Petrov, V.V., Rubish, V.M., Lapchuk, A.S., Kostyukevych, S.O., Shepeliavyi, P.E., Kostyukevych, K.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
13
Optical recording of information pits in thin layers of chalcogenide semiconductors за авторством Morozovska, A.N., Kostyukevych, S.A., Nikitenko, L.L., Kryuchin, A.A., Kudryavtsev, A.A., Shepeliavyi, P.E., Moskalenko, N.L.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
14
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films за авторством Lisovskyy, I.P., Litovchenko, V.G., Zlobin, S.O., Voitovych, M.V., Khatsevich, I.M., Indutnyy, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Kolomys, O.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
15
The new approach to identification of film reflecting holographic marks за авторством Kostyukevych, S.O., Muravsky, L.I., Fitio, V.M., Voronyak, T.I., Shepeliavyi, P.E., Kostyukevych, K.V., Moskalenko, N.L., Pogoda, V.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
16
Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films за авторством Indutnyy, I.Z., Lysenko, V.S., Min'ko, V.I., Nazarov, A.N., Tkachenko, A.S., Shepeliavyi, P.E., Dan'ko, V.A., Maidanchuk, I.Yu.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття -
17
Enhancing sensitivity of SPR sensors using nanostructured Au chips coated with functional plasma polymer nanofilms за авторством Indutnyi, I.Z., Ushenin, Yu.V., Hegemann, D., Vandenbossche, M., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Lytvyn, P.M., Khrystosenko, R.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
18
Electron field emission from SiOx films за авторством Evtukh, А.А., Indutnyy, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litvin, Yu.M., Litovchenko, V.G., Lytvyn, P.M., Mazunov, D.O., Rassamakin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
19
Recording the high efficient diffraction gratings by using He-Cd laser за авторством Kostyukevych, S.A., Morozovska, A.N., Minko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Kudryavtsev, A.A., Rubish, V.M., Rubish, V.V., Tverdokhleb, I.V., Kostiukevych, A.S., Dyrda, S.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
20
Nanopatterning Au chips for SPR refractometer by using interference lithography and chalcogenide photoresist за авторством Dan’ko, V.A., Dorozinsky, G.V., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Ushenin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Korchovyi, A.A., Khrystosenko, R.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття