Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization

• Дата: 2015
• Автори: Naumov, A.V., Kolomys, O.F., Romanyuk, A.S., Tsykaniuk, B.I., Strelchuk, V.V., Trius, M.P., Avksentyev, A.Yu., Belyaev, A.E.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121254
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization / A.V. Naumov, O.F. Kolomys, A.S. Romanyuk, B.I. Tsykaniuk, V.V. Strelchuk, M.P. Trius, A.Yu. Avksentyev, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 396-402. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

The effect of self-heating on the transport characteristics and electronic properties of transistor AlGaN/GaN heterostructures was investigated. The electrical, micro-Raman and photoluminescence techniques were used for temperature estimations for transistor structures under electrical load. The the...