Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
The current transport through insulating SiO₂ films with silicon nanocrystals in Si/SiO₂(Si)/Al structures has been investigated in the wide range of temperatures (82…350 K). The nanocomposite SiO₂(Si) films containing the silicon nanoclusters embedded into insulating SiO₂ matrix have been obtained...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121517 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals / O.L. Bratus, A.A. Evtukh, O.V. Steblova, V.M. Prokopchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 9-13. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!