Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity
The effect of ultrasonic (US) treatment on electroluminescence of initial and irradiated with 2-MeV electrons (Φ = 8.24·10¹⁴ e/cm²) GaAs-GaP LEDs grown on solid solution base was studied. It was found that luminescence intensity of samples previously loaded with US increased during long-term storage...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121521 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity / O.V. Konoreva, M.V. Lytovchenko, Ye.V. Malyi, Ya.M. Olikh, I.V. Petrenko, M.B. Pinkovska, V.P. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 34-38. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |