Radiation-induced effects in silicon

за авторством Gaidar, G.P., Pinkovska, M.B., Starchyk, M.I.
Опубліковано 2019

Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions

за авторством Starchyk, M.I., Marchenko, L.S., Pinkovska, M.B., Shmatko, G.G., Varnina, V.I.
Опубліковано 2015

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide

за авторством Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.
Опубліковано 2001

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes

за авторством Gontaruk, O.M., Khivrych, V.I., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Olikh, Ya.M., Vernydub, R.M., Opilat, V.Ya.
Опубліковано 2003

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons

за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Shlapatska, V.V.
Опубліковано 2015

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity

за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Olikh, Ya.M., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.
Опубліковано 2016

Low doses effect in GaP light-emitting diodes

за авторством Hontaruk, O.M., Konoreva, O.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Radkevych, O.I., Tartachnyk, V.P.
Опубліковано 2016

Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons

за авторством Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.
Опубліковано 1999