Modelling of pyroelectric response in inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films
We have modified the Landau-Khalatnikov approach and shown that the pyroelectric response of inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films can be described using six coupled equations for six order parameters: average displacement, its mean-square fluctuation and correlation with charge defect den...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121582 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modelling of pyroelectric response in inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films / A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, D. Remiens, C. Soyer // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 8, № 1. — С. 14-21. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. |