Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
InSb p-n junctions were prepared by three diffusion methods, including isothermal, two-temperature and two-stage diffusion processes. The current-voltage characteristics were measured as a function of temperature and bias voltage. The highest values of the resistance-area product at zero bias have b...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121603 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 3. — С. 295-298. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!