Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2015
• Автори: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Клепикова, А.С., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122031
• Цитувати: Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 139-146. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Экспериментально исследованы продольное pxx(B,T) и холловское pxy (B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИК подсветки. Провед...