Вплив потоку азоту на властивості тонких аморфних Si–C–N-плівок, отриманих магнетронним розпиленням

Тонкі плівки Si–C–N осаджено на кремнієві підкладки реактивним магнетронним розпиленням кремній-вуглецевої мішені на постійному струмі та при різних співвідношеннях потоків азоту FN2 і аргону FAr. Для дослідження структури, хімічних зв’язків, морфології поверхні та механічних властивостей отриманих...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Козак, А.О., Іващенко, В.І., Порада, О.К., Іващенко, Л.А., Синельниченко, О.К., Дуб, С.М., Литвин, О.С., Тимофєєва, І.І., Толмачева, Г.М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2015
Назва видання:Сверхтвердые материалы
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/126209
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив потоку азоту на властивості тонких аморфних Si–C–N-плівок, отриманих магнетронним розпиленням / А.О. Козак, В.І. Іващенко, О.К. Порада, Л.А. Іващенко, О.К. Синельниченко, С.М. Дуб, О.С. Литвин, І.І. Тимофєєва, Г.М. Толмачева // Сверхтвердые материалы. — 2015. — № 5. — С. 12-24. — Бібліогр.: 40 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Тонкі плівки Si–C–N осаджено на кремнієві підкладки реактивним магнетронним розпиленням кремній-вуглецевої мішені на постійному струмі та при різних співвідношеннях потоків азоту FN2 і аргону FAr. Для дослідження структури, хімічних зв’язків, морфології поверхні та механічних властивостей отриманих Si–C–N-плівок використано рентгенівську дифракцію, інфрачервону спектроскопію, рентгенівську фотоелектронну спектроскопію, атомно-силову мікроскопію та наноіндентування. Встановлено, що всі отримані тонкі плівки Si–C–N є рентгеноаморфними. Шорсткість поверхні плівок слабо залежить від FN2 і складає 0,23–0,28 нм. Збільшення FN2 призводить до появи і посилення Si–N-і C–N-зв’язків та послаблення Si–C-зв’язків. Тонкі плівки містять невелику кількість кисню, який утворює зв’язки Si–O і C–O, причому останні послаблюються з ростом FN2. Нанотвердість аморфних тонких плівок SiC дорівнює 23 ГПа, пружний модуль – 207 ГПа. Нанотвердість та модуль пружності тонких плівок Si–C–N зменшуються зі збільшенням потоку азоту, що пов’язано з ослабленням Si–C-зв’язків.