Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
Influence of Cd and Se atoms on the quantum efficiency of photon emission through EL2 defects in gallium arsenide single crystals has been investigated. A comparative technique of impurity diffusion in vacuum and arsenic atmospheres has been used. The change character and extent of the photon emissi...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | Litvinova, M.B., Shutov, S.V., Shtan`ko, A.D., Kurak, V.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135018 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide / M.B. Litvinova, S.V. Shutov, A.D. Shtan`ko, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 3. — С. 538-541. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
за авторством: Shtan'ko, A.D., та інші
Опубліковано: (2010) -
Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006) -
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002) -
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012) -
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)