Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Zaitsev, R.V., Kopach, V.R., Kirichenko, M.V., Doroshenko, A.N., Khrypunov, G.S.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2011
Назва видання:Functional Materials
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135592
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R.V. Zaitsev, V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, A.N. Doroshenko, G.S. Khrypunov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 497-503. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine