Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)

Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and param...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Gentsar, P.O., Vlasenko, O.I., Vuichyk, M.V., Stronski, O.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2009
Назва видання:Functional Materials
Теми:
Characterization and properties
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136623
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-136623
record_format dspace
spelling irk-123456789-1366232018-06-17T03:08:36Z Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. Characterization and properties Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and parameters in the space charge region of subsurface layer of the investigated material have been obtained: electron concentration N, plasma frequency ωp, relaxation time of free carriers over the pulse τp, energies of optical transitions E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), electrooptical energy hθ, surface electric field Fs, phenomenological broadening parameter Г, energy relaxation time τ, the wave function oscillation durability of quantum-mechanical particle λᴋғ with the reduced effective mass μ at a given surface electric field Fs. The energy diagram of the chemico-dynamically etched n-GaAs (100) surface has been found to include an extreme. The presence of such extreme is explained by zero value of the electron wave function on the surface and/or the structure gettering of the free carriers. Досліджено спектри відбивання у діапазоні 1,4-25 мкм та спектри електровідбивання з використанням електролітичної методики у спектральному діапазоні 1,3-1,6 еВ монокристалів n-GaAs (100) після хіміко-динамічного травлення з концентрацією електронів 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³. Отримано значення фізичних параметрів та параметрів в області просторового заряду приповерхневого шару матеріалу: концентрації електронів N, плазмові частоти ωp час релаксації вільних носіїв за імпульсом τp, енергії оптичних переходів E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), електрооптичної енергії hθ, поверхневого електричного поля Fs, феноменологічного параметра уmирення Г, енергетичного часу релаксації !, протяжності осциляції хвильової функції квантово-механічної частинки λᴋғ із приведеною ефективною масою μ при даному поверхневому електричному полі Fs. Виявлено, що енергетична діаграма хіміко-динамічно травленої поверхні n-GaAs (100) містить екстремум. Появу такого екстремума пояснено нульовим значенням хвильової функції електронів на поверхні і (або) зі структурним гетеруванням вільних носіїв. Исследованы спектры отражения в диапазоне 1,4-25 мкм и спектры электроотражения с использованием электролитической методики в спектральном диапазоне 1,3- 1,6 эВ монокристаллов n-GaAs (100) с концентрацией электронов 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³ после химико-динамического травления. Получены значения физических параметров и параметров в области пространственного заряда приповерхностного слоя материала: концентрации электронов N, плазменные частоты ωp время релаксации свободных носителей по импульсу τp, энергии оптических переходов E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), электрооптической энергии hθ, поверхностного электрического поля Fs, феноменологического параметра уширения Г, энергетического времени релаксации t, протяженности осцилляции волновой функции квантово-механической частицы λᴋғ с приведенной эффективной массой μ при данном поверхностном электрическом поле Fs. Выявлено, что энергетическая диаграмма химико-динамически травленой поверхности n-GaAs (100) имеет экстремум. Появление такого экстремума объяснено нулевым значением волновой функции электронов на поверхности и (или) со структурным геттерированием свободных носителей. 2009 Article Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136623 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Characterization and properties
Characterization and properties
spellingShingle Characterization and properties
Characterization and properties
Gentsar, P.O.
Vlasenko, O.I.
Vuichyk, M.V.
Stronski, O.V.
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
Functional Materials
description Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and parameters in the space charge region of subsurface layer of the investigated material have been obtained: electron concentration N, plasma frequency ωp, relaxation time of free carriers over the pulse τp, energies of optical transitions E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), electrooptical energy hθ, surface electric field Fs, phenomenological broadening parameter Г, energy relaxation time τ, the wave function oscillation durability of quantum-mechanical particle λᴋғ with the reduced effective mass μ at a given surface electric field Fs. The energy diagram of the chemico-dynamically etched n-GaAs (100) surface has been found to include an extreme. The presence of such extreme is explained by zero value of the electron wave function on the surface and/or the structure gettering of the free carriers.
format Article
author Gentsar, P.O.
Vlasenko, O.I.
Vuichyk, M.V.
Stronski, O.V.
author_facet Gentsar, P.O.
Vlasenko, O.I.
Vuichyk, M.V.
Stronski, O.V.
author_sort Gentsar, P.O.
title Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
title_short Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
title_full Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
title_fullStr Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
title_full_unstemmed Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
title_sort infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition e₀ of heavily doped n-gaas (100)
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2009
topic_facet Characterization and properties
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136623
citation_txt Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT gentsarpo infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100
AT vlasenkooi infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100
AT vuichykmv infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100
AT stronskiov infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100
first_indexed 2023-10-18T21:14:24Z
last_indexed 2023-10-18T21:14:24Z
_version_ 1796152295814070272

Схожі ресурси