Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and param...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | Gentsar, P.O., Vlasenko, O.I., Vuichyk, M.V., Stronski, O.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136623 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2009) -
Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010) -
Luminescence spectroscopy and electronic structure of Eu³⁺-doped Bi-containing oxide compounds
за авторством: Nedilko, S., та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017) -
Porous Al and Cu structures as infrared signal enhancers
за авторством: Dovbeshko, G.I., та інші
Опубліковано: (2010)