Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg

Equilibrium concentrations of point defects in ZnSe layers obtained by Sn and Mg diffusion fron vapor phase at 1150 K have been calculated using the quasi-chemical reaction method. The calculated results are compared to data obtained fron thermo-e.m.f., conductivity and luminescence spectra measurem...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Gryvul, V.I., Makhniy, V.P., Tkachenko, I.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2007
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136987
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg / V.I. Gryvul, V.P. Makhniy, I.V. Tkachenko // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine