Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
Equilibrium concentrations of point defects in ZnSe layers obtained by Sn and Mg diffusion fron vapor phase at 1150 K have been calculated using the quasi-chemical reaction method. The calculated results are compared to data obtained fron thermo-e.m.f., conductivity and luminescence spectra measurem...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2007
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136987 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg / V.I. Gryvul, V.P. Makhniy, I.V. Tkachenko // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |