Initial stages of diffusion and phase formation in Sc/Si layered systems
Kinetics of phase formation Sc/Si multilayers and Si/Sc/Si three-layers within the temperature range of 130-400°C has been studied by cross-sectional transmission electron microscopy and small-angle X-ray reflectometry. Growth of ScSi silicide governed by diffusion kinetics was observed at all tempe...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137250 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Initial stages of diffusion and phase formation in Sc/Si layered systems / D.L. Voronov, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, Yu.P. Pershun, V.A. Sevryukova, Ye.A. Bugayev // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 1. — С. 30-37. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |