Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138817 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study / Zs.J. Horvath, A.L. Toth, V. Rakovics, Z. Paszti, G. Peto // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 376-380. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-138817 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1388172018-06-20T03:12:05Z Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study Horvath, Zs.J. Toth, A.L. Rakovics, V. Paszti, Z. Peto, G. Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded that the obtained electrical anomalies are connected with pinhole-like defects originated from the break of the epitaxial layer during preparation. Исследованы электрические характеристики переходов Шоттки в Au/lnP p-типа с наночастицами Pt, введенными в эпитаксиальный слой; результаты сопоставлены с характеристиками образцов сравнения. Обнаружены различные аномалии, некоторые из них аналогичны поведению структур квантовых точек. Сделан, однако, вывод, что наблюдаемые аномалии связаны с дефектами точечного типа, обусловленными разрывами эпитаксиального слоя в процессе его нанесения. Досліджєно єлєктричні характеристики пєрєходів Шотткі в Au/lnP p-типу з наночас-тинками Pt, введеними в епітаксійний шар; результати зіставлено з характеристиками зразків порівняння. Виявлено різноманітні аномалії, деякі з них аналогічні поведінці структур квантових точок. Зроблено, однак, висновок, що виявлені аномалії пов’язані з дефектами точкового типу, обумовленими розривами епітаксійного шару в процесі його нанесення. 2004 Article Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study / Zs.J. Horvath, A.L. Toth, V. Rakovics, Z. Paszti, G. Peto // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 376-380. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138817 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded that the obtained electrical anomalies are connected with pinhole-like defects originated from the break of the epitaxial layer during preparation. |
| format |
Article |
| author |
Horvath, Zs.J. Toth, A.L. Rakovics, V. Paszti, Z. Peto, G. |
| spellingShingle |
Horvath, Zs.J. Toth, A.L. Rakovics, V. Paszti, Z. Peto, G. Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study Functional Materials |
| author_facet |
Horvath, Zs.J. Toth, A.L. Rakovics, V. Paszti, Z. Peto, G. |
| author_sort |
Horvath, Zs.J. |
| title |
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study |
| title_short |
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study |
| title_full |
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study |
| title_fullStr |
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study |
| title_full_unstemmed |
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study |
| title_sort |
crystal defects in epitaxial inp layers: electrical and scanning electron microscope study |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2004 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138817 |
| citation_txt |
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study / Zs.J. Horvath, A.L. Toth, V. Rakovics, Z. Paszti, G. Peto // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 376-380. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT horvathzsj crystaldefectsinepitaxialinplayerselectricalandscanningelectronmicroscopestudy AT tothal crystaldefectsinepitaxialinplayerselectricalandscanningelectronmicroscopestudy AT rakovicsv crystaldefectsinepitaxialinplayerselectricalandscanningelectronmicroscopestudy AT pasztiz crystaldefectsinepitaxialinplayerselectricalandscanningelectronmicroscopestudy AT petog crystaldefectsinepitaxialinplayerselectricalandscanningelectronmicroscopestudy |
| first_indexed |
2023-10-18T21:19:01Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:19:01Z |
| _version_ |
1796152503674339328 |