Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138817 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study / Zs.J. Horvath, A.L. Toth, V. Rakovics, Z. Paszti, G. Peto // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 376-380. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |