Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures

Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anoma...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Horvath, Zs.J., Orlov, L.K., Ivina, N.L., Demidov, E.S., Vdovin, V.I., Adam, M., Szabo, I., Dozsa, L., Pashaev, E.M., Ivanov, Yu.M., Yakunin, S.N.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138819
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-138819
record_format dspace
spelling irk-123456789-1388192018-06-20T03:02:46Z Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures Horvath, Zs.J. Orlov, L.K. Ivina, N.L. Demidov, E.S. Vdovin, V.I. Adam, M. Szabo, I. Dozsa, L. Pashaev, E.M. Ivanov, Yu.M. Yakunin, S.N. Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anomalies, the electrical measurements provide useful and reliable information on the structures. Исследованы дефекты в гетероструктурах Si/SiGe и их электрические характеристики. В эпитаксиальных слоях методом просвечивающей электронной микроскопии поперечных сечений обнаружены дислокации несоответствия. Эти дефекты вызывают аномалии в электрических характеристиках. Показано, что, несмотря на эти аномалии, электрические измерения обеспечивают полезную и надежную информацию о структурах. Досліджєно дефекти у гетероструктурах Si/SiGe та їх єлєктричні характеристики. В епітаксиальних шарах методом просвічувальної електронної мікроскопії поперечних перерізів виявлено дислокації невідповідності. Ці дефекти спричиняють аномалії в електричних характеристиках. Показано, що, незважаючи на ці аномалії, електричні вимірювання забезпечують корисну та надійну інформацію про структури. 2004 Article Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138819 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anomalies, the electrical measurements provide useful and reliable information on the structures.
format Article
author Horvath, Zs.J.
Orlov, L.K.
Ivina, N.L.
Demidov, E.S.
Vdovin, V.I.
Adam, M.
Szabo, I.
Dozsa, L.
Pashaev, E.M.
Ivanov, Yu.M.
Yakunin, S.N.
spellingShingle Horvath, Zs.J.
Orlov, L.K.
Ivina, N.L.
Demidov, E.S.
Vdovin, V.I.
Adam, M.
Szabo, I.
Dozsa, L.
Pashaev, E.M.
Ivanov, Yu.M.
Yakunin, S.N.
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
Functional Materials
author_facet Horvath, Zs.J.
Orlov, L.K.
Ivina, N.L.
Demidov, E.S.
Vdovin, V.I.
Adam, M.
Szabo, I.
Dozsa, L.
Pashaev, E.M.
Ivanov, Yu.M.
Yakunin, S.N.
author_sort Horvath, Zs.J.
title Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_short Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_full Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_fullStr Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_full_unstemmed Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_sort effect of dislocations in relaxed mbe sige layers on the electrical behavior of si/sige heterostructures
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2004
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138819
citation_txt Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT horvathzsj effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT orlovlk effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT ivinanl effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT demidoves effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT vdovinvi effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT adamm effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT szaboi effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT dozsal effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT pashaevem effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT ivanovyum effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT yakuninsn effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
first_indexed 2023-10-18T21:19:01Z
last_indexed 2023-10-18T21:19:01Z
_version_ 1796152503780245504

Схожі ресурси