Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. Th...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138911 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-138911 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1389112018-06-20T03:05:41Z Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. Characterization and properties The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. The dependences of those quantities on the irradiation dose have been obtained (for E = 1 MeV electrons). In the case of alpha-particle bombardment (10²-10³ cm⁻¹), anomalous high carrier removal rate is explained by formation of disordered regions in irradiated samples. Наведено результати дослідження ємнісних характеристик зелених та червоних фосфідо-галієвих діодів. Визначено характер розподілу легуючих домішок у межах збідненої області, залежність ширини переходу від прикладеної напруги та концентрації домішки у слаболегованій частині p-n-переходу. Одержано залежність цих величин від дози опромінення (для електронів з Е = 1 МеВ). Аномально велике значення швидкості видалення носіїв при бомбардуванні а-частинками (10²-10³ cm⁻¹) пояснюється формуванням в опромінених зразках областей розупорядкування. Представлены результаты исследования емкостных характеристик фосфидо-галлиевых диодов зеленого и красного свечения. Выяснен характер распределения легирующих примесей в пределах обедненной области, зависимость ширины перехода от приложенного напряжения и концентрации примеси в слабо легированной части p-n-перехода. Определена зависимость этих величин от дозы облучения (для электронов с Е = 1 МэВ). Аномально большое значение скорости удаления носителей при бомбардировании а-частицами (10²-10³ cm⁻¹) объясняется образованием в облученных образцах областей разупорядочения. 2009 Article Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138911 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Characterization and properties Characterization and properties |
| spellingShingle |
Characterization and properties Characterization and properties Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes Functional Materials |
| description |
The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. The dependences of those quantities on the irradiation dose have been obtained (for E = 1 MeV electrons). In the case of alpha-particle bombardment (10²-10³ cm⁻¹), anomalous high carrier removal rate is explained by formation of disordered regions in irradiated samples. |
| format |
Article |
| author |
Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. |
| author_facet |
Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. |
| author_sort |
Borzakovskyj, A. |
| title |
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_short |
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_full |
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_fullStr |
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_full_unstemmed |
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_sort |
radiation influence on characteristics of gap light emitting diodes |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138911 |
| citation_txt |
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT borzakovskyja radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT gontaruko radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT kochkinv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT litovchenkop radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT opilatv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT petrenkoi radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT tartachnykv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes |
| first_indexed |
2023-10-18T21:18:11Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:18:11Z |
| _version_ |
1796152452634902528 |