Suchergebnisse - Litovchenko, P.

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    The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon von Gaidar, G.P., Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G.

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    Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance von Baranskyy, P.I., Gaydar, G.P., Litovchenko, P.G.

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    Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te von Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Tartachnyk, V.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2010)
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    Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла von Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M.

    Veröffentlicht 2008
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  5. 5
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    Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons von Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.

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    Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures von Litovchenko, P., Litovchenko, A., Konoreva, O., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

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  7. 7
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    Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals von Hontaruk, O., Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

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  8. 8
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    Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes von Borzakovskyj, A., Gontaruk, O., Kochkin, V., Litovchenko, P., Opilat, V., Petrenko, I., Tartachnyk, V.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2009)
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    Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide von Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

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  10. 10
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    Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects von Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2005)
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  11. 11
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    Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs von Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.

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    Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons von Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.

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  13. 13
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    Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon von Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

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    Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples von Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.

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  15. 15
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    Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин... von Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.

    Veröffentlicht 2011
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  16. 16
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    Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons von Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.

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    Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon von Groza, A.A., Venger, E.F., Varnina, V.I., Holiney, R.Yu., Litovchenko, P.G., Matveeva, L.A., Litovchenko, A.P., Sugakov, V.I., Shmatko, G.G.

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    Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide von Litovchenko, P.G., Wahl, W., Groza, A.A., Dolgolenko, A.P., Karpenko, A.Ya., Khivrych, V.I., Litovchenko, O.P., Lastovetsky, V.F., Sugakov1, V.I., Dubovy, V.K.

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