Suchergebnisse - Litovchenko, P.

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    The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon von Gaidar, G.P., Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G.

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    Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance von Baranskyy, P.I., Gaydar, G.P., Litovchenko, P.G.

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  3. 3
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    Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te von Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Tartachnyk, V.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2010)
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    Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла von Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M.

    Veröffentlicht 2008
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  5. 5
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    The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium von Dolgolenko, A.P., Gaidar, G.P., Varentsov, M.D., Litovchenko, P.G.

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  6. 6
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    Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons von Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.

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  7. 7
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    Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures von Litovchenko, P., Litovchenko, A., Konoreva, O., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

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  8. 8
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    Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals von Hontaruk, O., Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

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  9. 9
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    Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes von Borzakovskyj, A., Gontaruk, O., Kochkin, V., Litovchenko, P., Opilat, V., Petrenko, I., Tartachnyk, V.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2009)
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  10. 10
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    Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide von Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

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  11. 11
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    Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects von Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2005)
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  12. 12
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    Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers von Litovchenko, P.G., Pavlovska, N.T., Pavlovskyy, Yu.V., Ugrin, Yu.O., Luka, G., Ostrovskyy, I.P.

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  13. 13
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    Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs von Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.

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  14. 14
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    Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors von Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

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  15. 15
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    Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons von Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.

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  16. 16
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    Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon von Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

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  17. 17
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    Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples von Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.

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  18. 18
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    Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics von Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.

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  19. 19
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    Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons von Vernydub, R.M., Kyrylenko, O.I., Konoreva, O.V., Olikh, Ya.M., Litovchenko, P.G., Pavlovskyy, Yu.V., Potera, P., Tartachnyk, V.P.

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    Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин... von Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.

    Veröffentlicht 2011
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