Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates

The epitaxial layers of Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ quaternary solid solution (thickness of 2 to 11 µm, Nd ≤ 10⁵ сm⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ сm⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ сm²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К), lattice-matched with KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, and РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ substrates, were grown in a wide compositio...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Tsarenko, O.N., Ryabets, S.I., Tkachuk, A.I.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139315
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates / O.N. Tsarenko, S.I. Ryabets, A.I. Tkachuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 526-530. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine