Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
The epitaxial layers of Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ quaternary solid solution (thickness of 2 to 11 µm, Nd ≤ 10⁵ сm⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ сm⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ сm²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К), lattice-matched with KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, and РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ substrates, were grown in a wide compositio...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Tsarenko, O.N., Ryabets, S.I., Tkachuk, A.I. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139315 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates / O.N. Tsarenko, S.I. Ryabets, A.I. Tkachuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 526-530. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998) -
Дослідження електрофізичних властивостей систем Li₀.₅₋ᵧNaᵧLa₀.₅TiO₃ та Li₀.₅₋ᵧNaᵧLa₀.₅•{Nb,Та}₂O₆
за авторством: Кобилянська, С.Д., та інші
Опубліковано: (2013) -
Raman spectra of InᵪTl₁₋ᵪI substitutional solid solutions
за авторством: Dovhyi, Ya.O., та інші
Опубліковано: (2005) -
Структурные особенности и природа ионной проводимости в системах Li₀.₅₋ᵧNaᵧLa₀.₅TiO₃ та Li₀.₅₋ᵧNaᵧLa₀.₅•(Nb,Ta)₂O₆
за авторством: Кобылянская, С.Д., та інші
Опубліковано: (2012) -
Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)