Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe

Conditions for production of photosensitive anisotypic n-FeS₂/p-InSe heterojunctions by the method of low-temperature spray-pyrolysis of thin films of pyrite on crystalline p-InSe substrates are studied. On the basis of analysis of temperature dependences of direct and reverse VACs (Volt-Ampere Char...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Tkachuk, I.G., Orletsky, I.G., Kovalyuk, Z.D., Marianchuk, P.D.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2018
Назва видання:Functional Materials
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/157164
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe / I.G. Tkachuk, I.G. Orletsky, Z.D. Kovalyuk, P.D. Marianchuk// Functional Materials. — 2018. — Т. 25, № 3. — С. 463-470. — Бібліогр.: 37 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine