Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
Multisubband transport of the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure has been investigated by means of magnetotransport measurements at low temperatures and high magnetic fields. Two frequency Shubnikov–de Haas oscillations indicate occupation of two subbands. This allows us to determine th...
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175226 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Y.F. Komnik, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 10. — С. 1515-1521. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |