Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)

The results of researches of plasma chemical treatment of lithium monocrystalline tantalate (LiTaO₃) from gas type, bias voltage (energy of chemically active ions) and from current of additional bias generator are given. A closed-loop electron drift plasma chemical reactor and gas mixtures containin...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2021
Автори: Fedorovich, O.A., Hladkovska, O.V., Hladkovskyi, V.V., Nedybaliuk, A.F.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2021
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/195429
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) / O.A. Fedorovich, O.V. Hladkovska, V.V. Hladkovskyi, A.F. Nedybaliuk // Problems of Atomic Science and Technology. — 2021. — № 4. — С. 188-190. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-195429
record_format dspace
spelling irk-123456789-1954292023-12-05T12:12:42Z Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) Fedorovich, O.A. Hladkovska, O.V. Hladkovskyi, V.V. Nedybaliuk, A.F. Applications and technologies The results of researches of plasma chemical treatment of lithium monocrystalline tantalate (LiTaO₃) from gas type, bias voltage (energy of chemically active ions) and from current of additional bias generator are given. A closed-loop electron drift plasma chemical reactor and gas mixtures containing Ar, Ar + ClС₄, and Ar + SF₆ were used for the experiments. It was found that the etching rate of LiTaO₃ for the discharge in the gas mixture Ar + CCl₄ is 14 times higher than all other mixtures that were used. It is shown that the proposed idea and approaches of LiTaO₃ processing can be effectively applied for the production of optical systems with a minimum core thickness of about 2…3 μm. Приведено результати досліджень плазмохімічної обробки монокристалічного танталату літію (LiTaO₃) в залежності від роду газу, напруги зміщення (енергії хімічно активних іонів), а також від струму додаткового генератора зміщення. Для експериментів використано плазмохімічний реактор із замкнутим дрейфом електронів та газові суміші, що містять Ar, Ar+CСl₄ та Ar+SF₆. Виявлено, що швидкість травлення LiTaO₃ для розряду в газовій суміші Ar+CСl₄ у 14 разів вища від усіх інших використовуваних сумішей. Показано, що запропонована ідея та підходи обробки LiTaO₃ можуть бути ефективно застосовані для виробництва оптичних систем з мінімальною товщиною активної зони близько 2…3 мкм. Приведены результаты исследований плазмохимической обработки монокристаллического танталата лития (LiTaO₃) в зависимости от рода газа, напряжения смещения (энергии химически активных ионов), а также от тока дополнительного генератора смещения. Для экспериментов использован плазмохимический реактор с замкнутым дрейфом электронов и газовые смеси, содержащие Ar, Ar + CСl₄ и Ar + SF₆. Обнаружено, что скорость травления LiTaO₃ для разряда в газовой смеси Ar + CСl₄ в 14 раз выше всех используемых смесей. Показано, что предложенная идея и подходы обработки LiTaO₃ могут быть эффективно использованы для производства оптических систем с минимальной толщиной активной зоны около 2…3 мкм. 2021 Article Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) / O.A. Fedorovich, O.V. Hladkovska, V.V. Hladkovskyi, A.F. Nedybaliuk // Problems of Atomic Science and Technology. — 2021. — № 4. — С. 188-190. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.77.Bn, 81.65.Cf DOI: https://doi.org/10.46813/2021-134-188 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/195429 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Applications and technologies
Applications and technologies
spellingShingle Applications and technologies
Applications and technologies
Fedorovich, O.A.
Hladkovska, O.V.
Hladkovskyi, V.V.
Nedybaliuk, A.F.
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
Вопросы атомной науки и техники
description The results of researches of plasma chemical treatment of lithium monocrystalline tantalate (LiTaO₃) from gas type, bias voltage (energy of chemically active ions) and from current of additional bias generator are given. A closed-loop electron drift plasma chemical reactor and gas mixtures containing Ar, Ar + ClС₄, and Ar + SF₆ were used for the experiments. It was found that the etching rate of LiTaO₃ for the discharge in the gas mixture Ar + CCl₄ is 14 times higher than all other mixtures that were used. It is shown that the proposed idea and approaches of LiTaO₃ processing can be effectively applied for the production of optical systems with a minimum core thickness of about 2…3 μm.
format Article
author Fedorovich, O.A.
Hladkovska, O.V.
Hladkovskyi, V.V.
Nedybaliuk, A.F.
author_facet Fedorovich, O.A.
Hladkovska, O.V.
Hladkovskyi, V.V.
Nedybaliuk, A.F.
author_sort Fedorovich, O.A.
title Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
title_short Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
title_full Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
title_fullStr Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
title_full_unstemmed Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
title_sort features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (litao₃)
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2021
topic_facet Applications and technologies
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/195429
citation_txt Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) / O.A. Fedorovich, O.V. Hladkovska, V.V. Hladkovskyi, A.F. Nedybaliuk // Problems of Atomic Science and Technology. — 2021. — № 4. — С. 188-190. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT fedorovichoa featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3
AT hladkovskaov featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3
AT hladkovskyivv featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3
AT nedybaliukaf featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3
first_indexed 2024-03-31T09:15:46Z
last_indexed 2024-03-31T09:15:46Z
_version_ 1796158049457537024