Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectros...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2010
|
| Назва видання: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29005 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |