2025-02-23T00:28:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-29005%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:28:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-29005%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:28:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T00:28:01-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films

Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films

Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectros...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Shchurova, T.N., Savchenko, N.D., Popovic, K.O., Baran, N.Yu.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
Series:Хімія, фізика та технологія поверхні
Subjects:
Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29005
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-29005
record_format dspace
spelling irk-123456789-290052011-11-28T12:18:47Z Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55 film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer. Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого шару і хімічний склад аморфних плівок напилених зі стекол Ge33As12Se55, а також їх зміна при природному старінні протягом півроку. Показано, що існує поверхневий шар товщиною до 30 нм, збагачений атомами оксигену, германію та селену і збіднений атомами арсену. У процесі природного старіння в приповерхневому шарі плівки Ge33As12Se55 спостерігається зниження відносної концентрації германію та арсену при одночасному збільшенні концентрації селену та оксигену, що пов'язано з утворенням оксидних сполук As2O3 і GеО2, внаслідок чого відбувається розпушення поверхневого шару. Методами Оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались профили распределения элементов по толщине приповерхностного слоя и химический состав аморфных пленок, напыленных из стекол Ge33As12Se55, а также их изменение при естественном старении в течение полугода. Показано, что существует поверхностный слой толщиной до 30 нм, обогащенный атомами кислорода, германия и селена, и обедненный атомами мышьяка. В процессе естественного старения в приповерхностном слое пленки Ge33As12Se55 наблюдается снижение относительной концентрации германия и мышьяка при одновременном увеличении концентрации селена и кислорода, что связано с образованием оксидных соединений As2O3 и GеО2, вследствие чего происходит разрыхление поверхностного слоя. 2010 Article Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 2079-1704 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29005 539.216+539.389.3:539.27 en Хімія, фізика та технологія поверхні Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми
Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми
spellingShingle Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми
Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми
Shchurova, T.N.
Savchenko, N.D.
Popovic, K.O.
Baran, N.Yu.
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
Хімія, фізика та технологія поверхні
description Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55 film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer.
format Article
author Shchurova, T.N.
Savchenko, N.D.
Popovic, K.O.
Baran, N.Yu.
author_facet Shchurova, T.N.
Savchenko, N.D.
Popovic, K.O.
Baran, N.Yu.
author_sort Shchurova, T.N.
title Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
title_short Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
title_full Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
title_fullStr Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
title_full_unstemmed Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
title_sort depth profiling of the near-surface layer for ge33as12se55 thin films
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate 2010
topic_facet Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29005
citation_txt Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
series Хімія, фізика та технологія поверхні
work_keys_str_mv AT shchurovatn depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
AT savchenkond depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
AT popovicko depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
AT barannyu depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
first_indexed 2023-10-18T17:27:17Z
last_indexed 2023-10-18T17:27:17Z
_version_ 1796141583745155072

Similar Items