Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectros...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2010
|
| Назва видання: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29005 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-29005 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-290052011-11-28T12:18:47Z Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55 film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer. Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого шару і хімічний склад аморфних плівок напилених зі стекол Ge33As12Se55, а також їх зміна при природному старінні протягом півроку. Показано, що існує поверхневий шар товщиною до 30 нм, збагачений атомами оксигену, германію та селену і збіднений атомами арсену. У процесі природного старіння в приповерхневому шарі плівки Ge33As12Se55 спостерігається зниження відносної концентрації германію та арсену при одночасному збільшенні концентрації селену та оксигену, що пов'язано з утворенням оксидних сполук As2O3 і GеО2, внаслідок чого відбувається розпушення поверхневого шару. Методами Оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались профили распределения элементов по толщине приповерхностного слоя и химический состав аморфных пленок, напыленных из стекол Ge33As12Se55, а также их изменение при естественном старении в течение полугода. Показано, что существует поверхностный слой толщиной до 30 нм, обогащенный атомами кислорода, германия и селена, и обедненный атомами мышьяка. В процессе естественного старения в приповерхностном слое пленки Ge33As12Se55 наблюдается снижение относительной концентрации германия и мышьяка при одновременном увеличении концентрации селена и кислорода, что связано с образованием оксидных соединений As2O3 и GеО2, вследствие чего происходит разрыхление поверхностного слоя. 2010 Article Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 2079-1704 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29005 539.216+539.389.3:539.27 en Хімія, фізика та технологія поверхні Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми |
| spellingShingle |
Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films Хімія, фізика та технологія поверхні |
| description |
Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55 film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer. |
| format |
Article |
| author |
Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. |
| author_facet |
Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. |
| author_sort |
Shchurova, T.N. |
| title |
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_short |
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_full |
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_fullStr |
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_full_unstemmed |
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_sort |
depth profiling of the near-surface layer for ge33as12se55 thin films |
| publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29005 |
| citation_txt |
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| series |
Хімія, фізика та технологія поверхні |
| work_keys_str_mv |
AT shchurovatn depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms AT savchenkond depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms AT popovicko depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms AT barannyu depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms |
| first_indexed |
2023-10-18T17:27:17Z |
| last_indexed |
2023-10-18T17:27:17Z |
| _version_ |
1796141583745155072 |