Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2013
• Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Мирджалилова, М.А., Асанова, Г.О., Абдулхаев, О.А., Мухутдинов, Ж.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51735
• Цитувати: Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов....