Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм....
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51890 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |