Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами....
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51954 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51954 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-519542013-12-21T03:15:39Z Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. Технологические процессы и оборудование Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами. Показано, що комплексне легування розплавів індію рідкісноземельним (Yb) та ізовалентним (Al) елементами підвищує ефективність очистки від фонових домішок епітаксійних шарів InP, отриманих рідиннофазною епітаксією, що приводить до збільшення їх структурної досконалості. При оптимальній кількості Yb та Al в розплав концентрація електронів в шарах зменшується, а їх рух ливість зростає. Розроблена технологія може бути вико ристана для виготовлення структур для діодів Ганна, фотоприймачів та інших оптоелектронних приладів. It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquidphase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The concentration of electrons in InP layers decreases and their mobility increases on optimal amounts of Yb and Al in the melt. This technology may be used in producing structures for Gunn diodes, photoreceivers and other optoelectronic devices. 2010 Article Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51954 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами. |
| format |
Article |
| author |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. |
| author_facet |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. |
| author_sort |
Вакив, Н.М. |
| title |
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_short |
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_full |
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_fullStr |
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_full_unstemmed |
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_sort |
получение активных слоев inp в составе гетероструктур для диодов ганна |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51954 |
| citation_txt |
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT vakivnm polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT krukovskijsi polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT zaâčukdm polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT mihaŝukûs polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT krukovskijrs polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:24Z |
| _version_ |
1796143812377051136 |