Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52098 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |