Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами

• Дата: 2009
• Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Зоирова, Л.Х., Абдулхаев, О.А., Джураев, Д.Р.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52099
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Л.Х. Зоирова, О.А. Абдулхаев, Д.Р. Джураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 52-58. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон....