2025-02-23T13:18:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52313%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:18:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52313%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:18:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:18:39-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда)....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52313
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52313

Similar Items