Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры

Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей. Структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для опто- и микроэлектроники....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Гиясова, Ф.А., Саидова, Р.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52428
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 46-49. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine