Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур....
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52896 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 57-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |