2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52896%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52896%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Саидова, Р.А., Гиясова, Ф.А., Хайдаров, Ш.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52896
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52896%22&qt=morelikethis
2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52896%22&qt=morelikethis
2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:46:11-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Similar Items