Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2005
Автори:	Вакив, Н.М., Завербный, И.Р., Заячук, Д.М., Круковский, С.И., Мрыхин, И.О.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53574
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs / Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский, И.О. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 40-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Опис
Резюме:	Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.