Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53574 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs / Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский, И.О. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 40-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |