2025-02-23T09:05:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70558%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:05:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70558%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:05:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T09:05:35-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышени...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Ларкин, С.Ю., Авксентьев, А.Ю., Круковский, Р.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Материалы электроники
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70558
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70558

Similar Items