2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70558%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70558%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышени...
Saved in:
| Main Authors: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70558 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70558%22&qt=morelikethis
2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70558%22&qt=morelikethis
2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T09:24:24-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response