Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

• Дата: 2003
• Автори: Босый, В.И., Иващук, А.В., Ковальчук, В.Н., Семашко, Е.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70641
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ...