Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше....
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70852 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70852 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708522014-11-16T03:01:49Z Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. Материалы для микроэлектроники Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше. The research of influence of radiation processing by high-energy electrons on photoreceivers on the base of cadmium—mercury—tellurium composition at 80 and 120 K temperature has been curried out. The analysis of dose dependence of dark current and resistance at irradiation by 10¹³–10¹⁵ cm⁻² doses and more has been given. 2001 Article Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70852 621.37/39.193:539.216:539.211 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше. |
| format |
Article |
| author |
Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. |
| author_facet |
Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. |
| author_sort |
Завадский, В.А. |
| title |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_short |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_full |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_fullStr |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_full_unstemmed |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_sort |
радиационная обработка ик-фотоприемников на основе cdhgte |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70852 |
| citation_txt |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT zavadskijva radiacionnaâobrabotkaikfotopriemnikovnaosnovecdhgte AT zubarevvv radiacionnaâobrabotkaikfotopriemnikovnaosnovecdhgte AT mokrickijva radiacionnaâobrabotkaikfotopriemnikovnaosnovecdhgte |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| _version_ |
1796145706952556544 |